飞思卡尔扩大WiMAX射频晶体管选择范围

2月7日获悉，凭借第七代高压（HV7）射频 LDMOS技术，飞思卡尔半导体成功取得了在3.5 GHz 频段运行的符合WiMAX 基站所需的射频功率放大器性能，标志着制造商的射频横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术首次在这一领域获得重大突破。通过提供采用射频 LDMOS和GaAs PHEMT技术的功率晶体管，飞思卡尔的射频解决方案能够真正支持任何高功率无线基础设施应用，其中LDMOS的性能高达3.8 GHz，而GaAs PHEMT的性能则高达6 GHz。

据悉，目前飞思卡尔已经提供了一系列12V GaAs假晶高电子迁移率晶体管 （PHEMT）产品，并计划继续开发高压GaAs PHEMT技术，推出更高功率的GaAs器件，在WiMAX系统中使用，另外也适用于2 GHz和6 GHz频段之间的其它应用。

飞思卡尔副总裁兼射频部门总经理Gavin P. Woods介绍说，首批3.5 GHz LDMOS设备的样品现已问世。MRF7S38075H是一个75瓦特的P1dB 射频晶体管，平均功率为42dBm （16W），满足在3.5 GHz频段运行的WiMAX设备的性能要求。此外，40W和10W的 P1dB 3.5 GHz设备也有望于2006年2月面市。这三款先进的LDMOS设备扩大了飞思卡尔现有的射频功率晶体管系列的产品阵容，面向在2.3、2.5和3.5 GHz频段运行的新兴WiMAX/WiBRO设备。