DRAM提高芯片速度

    在上个月举行的国际晶体管电路讨论会（ISSCC）上，IBM公司提出了一项更小、更有效的缓存集成技术，并预测该项技术的应用将会在2008年给微处理器的速度带来2倍的提升。

    毫无疑问，更高的CPU频率、多核、更大的内存听上去要比量子计算机、生物计算机更能刺激电脑游戏玩家的神经。当电脑正在高速运行大型程序时，他们恨不得掐着秒表计算CPU从缓存里取出运算指令要浪费多少宝贵的时间。IBM的方案改变了CPU的缓存集成器件，摒弃了以往在CPU中使用静态随机存储器(SRAM)，而采用动态随机存储器（DRAM）的方式，它将只占用SRAM的 1/3的体积和1/15的耗电量。

    据IBM 公司45纳米技术开发总监Subramanian Iyer对比分析，一枚使用SRAM作为缓存的英特尔双核处理器，其表面积的60%将做为存储面积，而新方案将使其存储面积下降到20%左右。当这枚芯片开始工作时，大量在芯片上“奔跑”的电子将少跑2/3的路程。在IBM 65纳米芯片上，这项技术已经开始实验。

    2008年，这项技术有望大规模投入45纳米产品的商用，其中包括Power系列的产品。